[发明专利]白玉菇状二硒化镍纳米阵列电极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910007392.7 申请日: 2019-01-04
公开(公告)号: CN109686592B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 杜卫民;顾永攀;曹智;魏少红;邓德华 申请(专利权)人: 安阳师范学院
主分类号: H01G11/86 分类号: H01G11/86;H01G11/30;H01G11/26;H01G11/24;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 时立新
地址: 455000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种白玉菇状二硒化镍纳米阵列电极材料及其制备方法,属于超级电容器电极材料制备技术领域。具体包括步骤:将一定量的硒粉和氢氧化钠溶液混合,在带有对位聚苯内衬的反应釜中水热处理配制成反应溶液;反应溶液自然冷却后,再将预处理的泡沫镍放入其中,进行二次水热处理。控制反应温度及时间,即可获得白玉菇状二硒化镍纳米阵列。所得电极材料具有优异的电化学性能,在电流密度为1.0A/g时的比电容可达到2357 F/g,即使在电流密度达到5 A/g时,其比电容仍可达到1290 F/g。
搜索关键词: 白玉 菇状二硒化镍 纳米 阵列 电极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.白玉菇状二硒化镍纳米阵列电极材料的制备方法,其特征在于,通过以下步骤实现: 1)反应溶液的制备: 将Se粉和NaOH溶液混合,在反应釜中200℃‑220℃水热处理,配制成反应溶液; 2)白玉菇状二硒化镍纳米阵列的合成:在步骤(1)中得到的反应溶液中加入预处理的泡沫镍,在200‑220℃条件下进行二次水热处理,反应结束后,反应釜自然冷却,将泡沫镍经洗涤,真空干燥,即可获得白玉菇状二硒化镍纳米阵列。
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