[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910007558.5 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110010696B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 邸万杰;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包含以下步骤：在基板上形成第一栅极电极；在第一栅极电极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成包含与第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层；在第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；在源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层；在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层，并且对氧化物绝缘层添加氧；通过进行加热处理，使氧扩散到第一氧化物半导体层；在进行了加热处理之后，去除第二氧化物半导体层。由此，能够提高半导体装置的晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成第一栅极电极，在所述第一栅极电极上形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上形成包含与所述第一栅极电极重叠的区域的第一氧化物半导体层，在所述第一氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极，在所述源极电极和漏极电极上形成氧化物绝缘层，在含有氧的气氛中对氧化物半导体靶进行溅射而在所述氧化物绝缘层上形成第二氧化物半导体层，并且对所述氧化物绝缘层添加氧，通过进行加热处理，使所述氧扩散到所述第一氧化物半导体层，在进行了所述加热处理之后，去除所述第二氧化物半导体层。
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