[发明专利]一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法有效
| 申请号： | 201910008630.6 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109860024B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 牛长峰;王伟 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，属于半导体加工技术领域。所述方法包括用清洗液清洗的晶片经清洁干燥处理，即制得表面颗粒度低的晶片；所述清洁干燥步骤包括气体冲洗和/或甩干，所述甩干至少包括第一次甩干和第二次甩干；所述第一次甩干的温度大于第二次甩干的温度。通过本申请的方法能有效去除晶片如碳化硅晶片表面的颗粒污染物，使得晶片表面的颗粒度小于50个，且晶片表面无水渍，提高了晶片产品的质量，并提高了晶片通过率，减少了杂质嵌入晶片的内部以影响晶片的电子性能的概率，降低了成本，降低了晶片表面的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 晶片 表面 颗粒 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，其特征在于，包括：将用清洗液清洗的晶片经清洁干燥处理，即制得表面颗粒度低的晶片；所述清洁干燥步骤包括气体冲洗和/或甩干，所述甩干至少包括第一次甩干和第二次甩干；所述第一次甩干的温度大于第二次甩干的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
