[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910012387.5 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109768132B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在石墨烯层上层叠InGaN量子点层，InGaN量子点层中的多个InGaN量子点结构的表面势能点较低且化学活性较高，可作为未掺杂GaN层的成核点，未掺杂GaN层更容易在InGaN量子点结构上生长，保证未掺杂GaN层可先在石墨烯层上均匀地形成多个岛状结构，多个岛状结构与多个InGaN量子点结构一一对应；继续未掺杂GaN层时，各岛状结构之间的距离不会过大，岛状结构上原子的移动扩散较少，主要通过吸引更多的Ga原子与N原子来继续生长，因此减少了岛状结构上的原子在移动扩散过程中出现的晶格畸变与缺陷，提高了未掺杂GaN层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的石墨烯层、InGaN量子点层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中，所述InGaN量子点层包括多个均布在所述石墨烯层上的InGaN量子点结构，所述InGaN量子点结构为所述未掺杂GaN层的成核点。
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