[发明专利]低界面阻抗硅/石墨复合负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910013854.6 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109962220B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈国荣;施利毅;朱伟杰;董宁;张登松;袁帅;黄雷 | 申请（专利权）人： | 上海大学;中化国际（控股）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及低界面阻抗硅/石墨复合负极材料。该复合负极材料是以纳米硅材料为基底材料，中间层为厚度2～100nm的碳化硅膜，连接硅基体与石墨融合，通过控制膜的厚度保证锂离子在硅/石墨符合体系中的扩散不受界面影响，保证界面低阻抗特征。本发明通过构筑界面层降低硅与石墨之间界面阻抗，实现硅/石墨复合负极材料一体化，然后通过二次造粒、包覆、粉碎、筛分形成低界面阻抗一体化复合负极材料产品。本发明具有的优点是：在硅表面构筑一层具有锂离子穿透能力的碳化硅膜，一方面保护硅在高温下与石墨接触并发生反应而生成碳化硅，进而失去硅的活性；另一方面碳化硅作为硅与石墨融合的界面层，降低了硅与石墨固相之间界面阻抗，提高了硅与石墨的一体化程度。另外，在硅/石墨融合过程中加入气相碳纤维，进一步降低界面阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 阻抗 石墨 复合 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低界面阻抗硅/石墨复合负极材料，其特征在于该复合负极材料是以纳米硅材料为基底材料，中间层为厚度2～100纳米的碳化硅膜，该碳化硅膜的一侧紧密连接基底材料，另一侧与石墨层融合。
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