[发明专利]多晶硅的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910014696.6 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109887842A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/3215 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅的刻蚀方法，通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率，从而改变多晶硅的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 多晶硅 掺入 形貌 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的刻蚀方法，其特征在于：通过对需要刻蚀的多晶硅的不同部分掺入不同类型的杂质，或者掺入同类型但不同浓度的杂质，然后进行刻蚀来控制不同部位的刻蚀速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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