[发明专利]LDO电路

摘要

本发明公开了一种LDO电路,包括：过冲抑制电路和LDO主体电路；过冲抑制电路包括电流比较器，电流比较器包括两个比较电流源和二者之间的作为开关的第二PMOS管，第二PMOS管的栅极连接尾电流对应的镜像NMOS管的栅极。过冲抑制电路还包括第一电容和第三PMOS管。第三PMOS管的漏极连接到LDO主体电路的第一PMOS管的栅极。在上电过程中，在电源电压上升到小于等于镜像NMOS管和第二PMOS管的阈值电压的和之前，第二PMOS管关断，第一比较电流源会拉低第三PMOS管的栅极电压从而会使第一PMOS管的栅极电压随电源电压变化，从而防止上电过冲；上电结束后第三PMOS管断开从而会避免对LDO主体电路产生影响。

主权项

1.一种LDO电路,其特征在于,包括：过冲抑制电路和LDO主体电路；所述LDO主体电路包括差分放大器、第一PMOS管和串联电阻；所述差分放大器的第一输入端连接参考电压、第二输入端连接反馈电压、输出端连接到所述第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，所述串联电阻连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间，由所述第一PMOS管的漏极输出LDO输出电压，所述串联电阻对所述LDO输出电压分压后得到所述反馈电压；所述差分放大器包括尾电流；所述尾电流由第一镜像NMOS管和第二镜像NMOS管组成的镜像电路提供，所述第一镜像NMOS管的源极和所述第二镜像NMOS管的源极都接地，所述第二镜像NMOS管的漏极提供所述尾电流；所述第二镜像NMOS管的栅极连接所述第一镜像NMOS管的漏极和栅极，所述第一镜像NMOS管的漏极输入偏置电流源，通过所述第一镜像NMOS管和所述第二镜像NMOS管的镜像在所述第二镜像NMOS管中形成所述尾电流；所述过冲抑制电路包括电流比较器，所述电流比较器包括第一比较电流源、第二比较电流源和第二PMOS管，所述第二比较电流源的电流大于所述第一比较电流源的电流，所述第一比较电流源连接在所述第二PMOS管的漏极和地之间，所述第二比较电流源连接在所述第二PMOS管的源极和电源电压之间；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一镜像NMOS管的栅极；所述过冲抑制电路还包括第一电容和第三PMOS管；所述第三PMOS管的栅极连接所述第一电容的第一端，所述第三PMOS管的源极接电源电压，所述第三PMOS管的漏极连接到所述第一PMOS管的栅极，令所述第一PMOS管的栅极的连接点为第一节点以及所述第一电容的第一端为第二节点；所述第一电容的第一端连接所述第二PMOS管的漏极，所述第一电容的第二端接地；在上电过程中，在所述电源电压上升到小于等于所述第一镜像NMOS管的第一阈值电压和所述第二PMOS管的第二阈值电压的和之前，所述第二PMOS管关断，所述第一比较电流源使所述第二节点为低电平，所述第二节点为低电平使所述第三PMOS管导通，所述PMOS管导通使所述第一节点跟随所述电源电压变化，从而使所述第一节点电压的上升速率和所述电源电压的上升速率保持一致，从而消除在上电过程中所述第一节点电压较低而使所述LDO输出电压产生过冲；当所述电源电压上升到大于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的和时，所述第二PMOS管导通，所述第二比较电流源的电流大于所述第一比较电流源的电流使所述第二节点为高电平，所述第二节点为高电平使所述第三PMOS管关断，所述LDO主体电路正常启动。