[发明专利]半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201910015103.8 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN109638640B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 林宏翔;刘佟;崔晗;蔡昭权;魏晓慧 申请(专利权)人: 惠州学院
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/062;H01S5/125
代理公司: 广东创合知识产权代理有限公司 44690 代理人: 韩淑英
地址: 516001 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种半导体激光器,定义一XYZ空间直角坐标系,则该半导体激光器包括:位于Z轴方向前方和后方的电极;用于在电极通电时产生激光的有源区;位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层;以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层,所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上。其中,所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。本发明的半导体激光器能够直接输出线偏振激光,无需再外部添加光学器件,结构简单,除作为激光器使用外,本发明的半导体激光器结构还可以应用于介质激光加速器的使用。
搜索关键词: 半导体激光器
【主权项】:
1.一种半导体激光器,定义一XYZ空间直角坐标系,其特征在于,包括:位于Z轴方向前方和后方的电极;位于电极之间的有源区,其用于在电极通电时产生激光,所述有源区的主延伸平面平行于XY轴定义的平面;位于有源层的Z轴方向前方和后方以及位于有源区周侧的波导层;以及位于波导层的Y轴方向前方和后方的反射层,所述半导体激光器的激光射出口形成在位于Y轴方向前方的反射层上;其中,所述有源区的Y轴方向的前方和后方中的至少一个方向上还形成有用于将偏振方向平行于X轴方向的激光筛选出来的布儒斯特窗。
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