[发明专利]一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法有效
| 申请号： | 201910015236.5 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109686828B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵承潭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;G01M11/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Micro LED及其阵列基板、检测设备和检测方法，其中Micro LED位于衬底基板上，包括：N型半导体层；P型半导体层；位于N型半导体层和P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层接触的N型电极；与所述P型半导体层接触的P型电极；所述P型电极和所述N型电极在所述衬底基板上的正投影不重合，且所述P型电极和所述N型电极的高度差大于或者等于3微米。由于P型电极与N型电极之间的高度差较大，因此可以在不封装的情况下，直接利用检测设备对Micro LED的两个电极加电后进行亮度检测时。若检测出来某些Micro LED的亮度不满足要求，即可进行更换掉，将符合要求的Micro LED进行封装使用，检测和更换Micro LED的操作简单，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 及其 阵列 检测 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Micro LED，位于衬底基板上，其特征在于，所述Micro LED包括：N型半导体层；P型半导体层；位于N型半导体层和P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层接触的N型电极；与所述P型半导体层接触的P型电极；所述P型电极和所述N型电极在所述衬底基板上的正投影不重合，且所述P型电极和所述N型电极的高度差大于或者等于3微米。
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