[发明专利]半导体存储装置及其数据读出方法有效

专利信息
申请号: 201910015555.6 申请日: 2019-01-08
公开(公告)号: CN110880351B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 犬塚雄贵;中里高明 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/30;G11C16/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实施方式提供一种使存储容量增加的半导体存储装置及其数据读出方法。实施方式的半导体存储装置具备存储单元,该存储单元具有:第1电阻变化元件,能够在第1状态与电阻值比所述第1状态高的第2状态之间变化;及第2电阻变化元件,与所述第1电阻变化元件串联连接,能够在第3状态与电阻值比所述第3状态高的第4状态之间变化。所述存储单元在第1阈值电流及第1阈值电压下,发生第1急速折回,在大于所述第1阈值电流的第2阈值电流、及大于所述第1阈值电压的第2阈值电压下,发生第2急速折回。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 数据 读出 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910015555.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top