[发明专利]半导体存储装置及其数据读出方法有效
申请号: | 201910015555.6 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN110880351B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 犬塚雄贵;中里高明 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/30;G11C16/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供一种使存储容量增加的半导体存储装置及其数据读出方法。实施方式的半导体存储装置具备存储单元,该存储单元具有:第1电阻变化元件,能够在第1状态与电阻值比所述第1状态高的第2状态之间变化;及第2电阻变化元件,与所述第1电阻变化元件串联连接,能够在第3状态与电阻值比所述第3状态高的第4状态之间变化。所述存储单元在第1阈值电流及第1阈值电压下,发生第1急速折回,在大于所述第1阈值电流的第2阈值电流、及大于所述第1阈值电压的第2阈值电压下,发生第2急速折回。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 数据 读出 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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