[发明专利]一种功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种功率器件及其制作方法，包括：第二导电类型的衬底，形成于所述衬底内的至少两个第一导电类型的第一埋层，形成于所述衬底内的至少一个第二导电类型的第二埋层，形成于所述衬底上表面的第一导电类型的外延层，形成于所述外延层内的至少两个第一导电类型的第三埋层，形成于所述外延层内的至少一个第二导电类型的第四埋层，形成于所述外延层上表面的氧化层，形成于所述氧化层上表面的沟槽，第一导电类型的重掺杂区，第四金属层，接触孔，第一金属层，第二金属层，第三金属层，该功率器件具有导通电阻低、栅控能力强、夹断电压低，功耗小的优良特性。

主权项

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第二导电类型的衬底；在所述衬底内形成至少两个第一导电类型的第一埋层，所述第一埋层的至少部分表面裸露于所述衬底的上表面；在所述衬底内形成至少一个第二导电类型的第二埋层，所述第二埋层形成于两个所述第一埋层之间且两端与所述第一埋层连接，所述第二埋层的至少部分表面裸露于所述衬底的上表面；在所述衬底上表面形成第一导电类型的外延层；在所述外延层内形成至少两个第一导电类型的第三埋层，所述第三埋层的至少部分表面裸露于所述外延层的上表面；在所述外延层内形成至少一个第二导电类型的第四埋层，所述第四埋层形成于两个所述第三埋层之间且两端与所述第三埋层连接，所述第四埋层的至少部分表面裸露于所述外延层的上表面；在所述外延层上表面形成氧化层；在所述氧化层上表面形成沟槽，所述沟槽贯穿所述氧化层与所述外延层连接；在所述沟槽的侧壁和底面形成第一导电类型的重掺杂区；在所述沟槽的剩余部分内填充第四金属层；在所述氧化层上表面形成接触孔，所述接触孔贯穿所述氧化层延伸至所述第四埋层上表面；在所述氧化层上表面形成第一金属层，所述第一金属层与所述重掺杂区连接；在所述氧化层上表面和所述接触孔内形成第二金属层，所述第二金属层与所述第四埋层连接，所述第一金属层与所述第二金属层不连接；在所述衬底下表面形成第三金属层。