[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201910018440.2 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109904256A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郭杰;刘斌;郝瑞亭;刘欣星;王璐;顾康;王飞翔;李勇;吴鹏;孙帅辉;马晓乐;魏国帅 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;C23C14/34 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 高丽 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜制备方法，其步骤：在洗净的SLG表面上镀1μm厚的钼电极；用四元化合物铜锌锡硫靶溅射得到铜锌锡硫薄膜预制层；将上述条件下制备的预制层于570~590℃无硫源原位退火25‑35min。本方法基于CZTS的形成机理只需一个Cu‑Zn‑Sn‑S靶溅射预制层并通过后续的无硫源原位退火就能得到CZTS薄膜，该方法是目前最简单高效的成膜方法，单个靶材制备预制层后无硫源原位退火，适用于铜锌锡硫薄膜的大规模生产，且整个成膜过程均在一个真空腔室内完成，能有效避免外界杂质对薄膜的污染，解决了外界硫源的硫分压无法精确控制造成薄膜有碎晶粒和大面积空洞生成的现象，大幅提高了CZTS薄膜的均匀性及单相性。 | ||
| 搜索关键词： | 铜锌锡硫薄膜 预制层 硫源 制备 薄膜 原位退火 靶溅射 四元化合物 成膜过程 铜锌锡硫 外界杂质 晶粒 单相性 均匀性 真空腔 钼电极 靶材 成膜 分压 洗净 空洞 室内 污染 | ||
【主权项】：
1.一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过射频溅射，在双层结构的Mo背电极上，以铜锌锡硫四元化合物为靶，沉积得到铜锌锡硫预制层；(2)向溅射腔室通入高纯氮气，将铜锌锡硫预制层进行无硫源原位退火处理，自然冷却后得到铜锌锡硫薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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