[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910018675.1 申请日: 2019-01-09
公开(公告)号: CN110890419A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 一条尚生;小野升太郎;山下浩明 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L29/41 分类号: H01L29/41;H01L29/78
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 牛玉婷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置具备:包括第1导电型的第1半导体层的半导体部;设置在半导体部上的第1电极;被第1电极包围的第2电极;被第2电极包围的第3电极。半导体部还包括:选择性设置在第1半导体层与第1电极之间的第2导电型的第2半导体层;选择性设置在第2半导体层与第1电极之间的第1导电型的第3半导体层;具有设置在第1半导体层与第2电极及第3电极间的主部和设置在第1半导体层与第1电极间的外缘部的第2导电型的第4半导体层;选择性设置在第4半导体层中并具有与第1电极电连接的部分的第1导电型的第5半导体层;以及,具备设置在第4半导体层中的与第5半导体部分离的位置且与第3电极电连接的部分的第1导电型的第6半导体层。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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