[发明专利]一种透明紫外光电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910019560.4 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109873048A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;王跃锦;刘国振 | 申请（专利权）人： | 厦门瑶光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0304;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种透明紫外光电子器件的制造方法，包括如下步骤：1)在衬底上生长单电导层，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，2)在单电导层上生长势垒绝缘层，或者将生长好的势垒绝缘层转移至单导电层上；4)在所述势垒绝缘层上形成透明电极层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料；5)形成与所述单电导层电连接的金属电极。利用上述方法制备的电子器件可以实现器件的紫外双面发光，并具有良好的光探测性能，以此可以获得一种单电导层的透明紫外光电子器件以及光探测器，有助于提高发光性能和光探测性能，并减少复杂的制作工艺降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电导层 电子器件 透明紫外光 势垒绝缘层 透明电极层 光探测 绝缘层 宽禁带半导体层 二维材料 发光性能 光探测器 金属电极 双面发光 制作工艺 生长 导电层 电连接 纳米线 生长势 原子级 导电 衬底 制备 制造 透明 | ||
【主权项】：
1.一种透明紫外光电子器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：1)在衬底上生长单电导层，所述单电导层为n型或p型掺杂的宽禁带半导体层，2)在单电导层上生长势垒绝缘层，或者将生长好的势垒绝缘层转移至单导电层上；4)在所述势垒绝缘层上形成透明电极层，所述透明电极层为纳米线或原子级厚的导电透明二维材料；5)形成与所述单电导层电连接的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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