[发明专利]封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910020714.1 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109755227A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L23/04;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供一支撑衬底；在支撑衬底上形成重新布线层；在重新布线层上形成包括底层布线结构和底层天线结构的底层天线层；在重新布线层上形成空腔结构；在重新布线层上形成层间塑封层；在层间塑封层和空腔结构上形成耦合天线层；去除支撑衬底，在重新布线层的下表面形成金属凸块，并电性连接半导体芯片。本发明通过引入设置于封装层之间的空腔结构，在耦合天线层上方形成空腔，减少了高频天线的衰减和损耗，改善了高频天线的器件性能。此外，通过引入空腔结构，还增强了封装层的结构强度，确保了天线结构在封装过程中的完整性，提高了器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 重新布线层 空腔结构 衬底 制备 底层天线 封装结构 高频天线 耦合天线 封装层 塑封层 支撑 半导体芯片 电性连接 封装过程 金属凸块 器件性能 天线结构 底层布 下表面 线结构 引入 层间 空腔 良率 衰减 去除 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底上形成重新布线层；在所述重新布线层的上表面形成底层天线层，所述底层天线层包括底层布线结构和底层天线结构，所述底层天线结构通过所述底层布线结构与所述重新布线层电性连接；在所述重新布线层的上方形成空腔结构，所述空腔结构至少覆盖所述底层天线结构，并在所述空腔结构与所述重新布线层之间形成空腔；在所述重新布线层的上方形成层间塑封层，所述层间塑封层位于所述空腔结构的外围；在所述层间塑封层和所述空腔结构的上表面形成耦合天线层；去除所述支撑衬底，在所述重新布线层的下表面形成与所述重新布线层电性连接的金属凸块，并在所述重新布线层的下表面电性连接半导体芯片。
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