[发明专利]一种正八边形薄膜磁阻传感器在审
| 申请号： | 201910022159.6 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109752675A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;黄旭庭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种正八边形薄膜磁阻传感器。该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由八条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D、E、F、G、I按头尾顺序连接的方式正八边形排列组成，相邻膜条相差的相位为135°。外加磁场 |
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| 搜索关键词： | 正八边形 薄膜磁阻传感器 各向异性磁阻 绝缘层 磁场传感器 薄膜平面 电流方向 顶层电极 工作电流 输出电压 头尾顺序 外加磁场 依次叠加 薄膜条 夹角为 相邻膜 衬底 膜条 平行 | ||
【主权项】：
1.一种正八边形薄膜磁阻传感器，其特征在于，该磁场传感器包括从下向上依次叠加设置的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由八条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D、E、F、G、I按头尾顺序连接的方式正八边形排列组成，相邻膜条相差的相位为135°。
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