[发明专利]一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器在审
| 申请号： | 201910022165.1 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109752676A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;黄旭庭 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器。由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D按照头尾顺序连接方式构成惠斯通电桥，磁阻薄膜条A和B相差的相位为135°，磁阻薄膜条B、C相位相差45°，其中A、C平行，B、D平行。其等效电路图如附图3所示，外加磁场 |
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| 搜索关键词： | 薄膜磁阻传感器 磁阻薄膜 平行 惠斯通电桥式 各向异性磁阻 温度补偿效应 等效电路图 惠斯通电桥 改进 薄膜平面 电流方向 角度变化 连接方式 头尾顺序 外加磁场 相位相差 薄膜条 夹角为 传感器 电桥 功耗 磁场 摆放 | ||
【主权项】：
1.一种改进惠斯通电桥式薄膜磁阻传感器，其特征在于，包括从下到上依次叠加的衬底(1)、绝缘层(2)、各向异性磁阻层(3)和顶层电极层(4)；其中，各向异性磁阻层(3)由四条完全一样的各向异性磁阻薄膜条A、B、C、D按照头尾顺序连接方式构成惠斯通电桥，磁阻薄膜条A和B相差的相位为135°，磁阻薄膜条B、C相位相差45°，其中A、C平行，B、D平行。
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