[发明专利]封装体及其形成方法有效
| 申请号： | 201910023496.7 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110265310B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 陈威宇;谢静华;余振华;刘重希;林修任;裴浩然;黄贵伟;蔡钰芃;郑佳申;钟宇轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装体的方法，包括：在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射，其中所述第一封装组件在第二封装组件上方，且通过所述第一激光照射来回焊所述第一封装组件与所述第二封装组件之间的第一焊料区；以及在所述第一激光照射后，在所述第一封装组件的所述顶部表面的第二部分上执行第二激光照射，其中通过所述第二激光照射来回焊所述第一封装组件与所述第二封装组件之间的第二焊料区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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