[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够抑制IGBT在关断时的噪声的同时抑制导通时的回滞现象的技术。本发明的半导体基板具备二极管区域、和紧接着所述二极管区域设置的IGBT区域。所述IGBT区域具备多个第一导电类型的低浓度区，所述多个低浓度区设置在缓冲区与集电极区之间，在平行于所述半导体基板的方向上有间隔地并排排列，并且杂质浓度低于集电极区。所述集电极区具备接触部，所述接触部在相邻的所述低浓度区与所述低浓度区之间与所述缓冲区接触。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；表面电极，其配置在所述半导体基板的表面；以及背面电极，其配置在所述半导体基板的背面，所述半导体基板具备二极管区域、以及紧接着所述二极管区域设置的IGBT区域，所述二极管区域具备：第一导电类型的阳极区，其设置在所述半导体基体的表面所露出的范围内；第二导电类型的阴极区，其设置在所述半导体基体的背面所露出的范围内；以及第二导电类型的二极管漂移区，其设置在所述阳极区与所述阴极区之间，所述IGBT区域具备：第二导电类型的发射极区，其设置在所述半导体基体的表面所露出的范围内；第一导电类型的集电极区，其设置在所述半导体基体的背面所露出的范围内；第二导电类型的IGBT漂移区，其设置在所述发射极区与所述集电极区之间，紧接着所述二极管漂移区设置；第一导电类型的体区，其设置在所述发射极区与所述IGBT漂移区之间；栅极沟槽，其从所述半导体基板的表面贯穿所述发射极区和所述体区而延伸至到达所述IGBT漂移区的深度；第二导电类型的缓冲区，其设置在所述IGBT漂移区与所述集电极区之间，并且杂质浓度高于所述IGBT漂移区；以及多个第一导电类型的低浓度区，其设置在所述缓冲区与所述集电极区之间，在平行于所述半导体基板的方向有间隔地并排排列，其杂质浓度低于所述集电极区，所述栅极沟槽的内部配置有栅极，所述集电极区在相邻的所述低浓度区与所述低浓度区之间具有与所述缓冲区接触的第一接触部。