[发明专利]能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2

摘要

本发明公开了一种能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构及制备方法，包括依次连接的玻璃衬底、背电极、底层Cu‑Sn合金层、ZnS层、顶层Cu‑Sn合金层，其中，所述背电极为Mo薄膜，厚度为1μm；底层Cu‑Sn合金层为磁控溅射沉积的Cu‑Sn合金薄膜，厚度为140 nm；ZnS层为磁控溅射沉积的ZnS薄膜，厚度为250‑255 nm；顶层Cu‑Sn合金层为磁控溅射沉积的Cu‑Sn合金薄膜，厚度为280 nm。本发明采用了CuSn/ZnS/CuSn分层溅射制备铜锌锡硫预制层，使生成的Cu6Sn5中间相更加均匀；根据薄膜的生长机制：Cu6Sn5+S→Cu2SnS3，Cu2SnS3+ZnS→Cu2ZnSnS4，ZnS作为夹层使得Zn在生成的薄膜中分布更加均匀，可以有效控制S的扩散，最终可以抑制过厚的高阻MoS2层的形成。

主权项

1.能抑制铜锌锡硫薄膜中MoS2层的预制层结构，包括依次连接的玻璃衬底(1)、背电极(2)、底层Cu‑Sn合金层（3）、ZnS层（4）和顶层Cu‑Sn合金层（5），其特征在于，所述的底层Cu‑Sn合金层（5）与顶层合金层（3）总厚度为420 nm，其厚度比例为1:2。