[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 201910026268.5 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110047778A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 野中纯;丸山裕隆;福田喜辉;池田义谦;谷口裕树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明能够检测干燥处理后的基片背面的残留液。实施方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴、检测部和控制部。保持部保持基片并使其旋转。喷嘴向基片的背面排出处理液。检测部测量对象区域内的物体的温度。控制部控制保持部控制，在进行了干燥处理后，根据检测部的检测结果，判断在基片的背面有无处理液的残留液，其中该干燥处理使基片旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥处理 处理液 基片处理装置 检测 喷嘴 残留液 背面 测量对象区域 存储介质 基片处理 基片干燥 检测结果 排出 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：用于保持基片并使其旋转的保持部；用于向所述基片的背面排出处理液的喷嘴；用于测量对象区域内的物体的温度的检测部；和控制部，其能够控制所述保持部，在进行了干燥处理后，根据所述检测部的检测结果，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液，其中所述干燥处理使所述基片旋转以从该基片甩去所述处理液来使所述基片干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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