[发明专利]无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件在审
| 申请号： | 201910026870.9 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110028948A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 元裕镐;元那渊;黄成宇;张银珠;权秀暻;金龙郁;闵智玄;G.朴;朴相铉;章效淑;田信爱;韩用锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G03F7/004;G03F7/027;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米晶体 量子点 无镉 聚合物复合物 显示器件 制造 | ||
【主权项】：
1.无镉量子点，包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核，设置在所述半导体纳米晶体核上且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳，以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述无镉量子点不包括镉，和其中所述无镉量子点具有大于80％的量子产率，和其中当所述无镉量子点具有在600纳米至650纳米范围内的光致发光峰值波长时，铟对硫和硒的总和的摩尔比大于或等于0.06:1且小于或等于0.3:1，或其中当所述无镉量子点具有在500纳米至550纳米范围内的光致发光峰值波长时，铟对硫和硒的总和的摩尔比大于或等于0.027:1且小于或等于0.1:1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910026870.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
