[发明专利]一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910027266.8 申请日: 2019-01-11
公开(公告)号: CN109786480B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 彭铭曾;安运来;郑新和;卫会云;刘三姐;何荧峰;李美玲;宋祎萌;仇鹏;成佳东 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;B82Y40/00
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法;所述太阳能电池包括:背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层;所述背电极设置在所述衬底一面上,所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面;所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方,所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部结构设计和填充物质等方面进行优化,提高太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 纳米 阵列 结构 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米阵列结构太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:一背电极;一用于对太阳光反射和吸收的纳米阵列结构;一作为所述背电极和所述纳米阵列结构载体的衬底;一用于提高太阳光吸收率的吸光层;一用于增强光散射的填充层;一上电极;一抗反射涂层;所述衬底两侧分别设置所述纳米阵列结构和所述背电极;所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方,所述抗反射涂层面设置在所述上电极面向所述纳米阵列结构一侧;所述吸光层设置在所述纳米阵列结构表面;所述填充层设置在所述纳米阵列结构的空隙中。
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