[发明专利]一种晶圆清洗方法有效
申请号: | 201910027349.7 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109755106B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 刘小洁;尹影;李婷;高跃昕;刘宜霖;蒋锡兵;史超;田国军 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B08B11/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王献茹 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆清洗方法,将CMP后的晶圆立即置于含有烷基醇聚氧乙烯醚的第一氨水溶液的表面活化槽中,使晶圆的球形缺陷吸附状态被控制在易清洗的物理吸附阶段,避免晶圆因为等待兆声清洗而暴露于空气中、产生化学吸附而难以清洗去除掉表面球形缺陷;将在表面活化槽中处理后的晶圆放入兆声清洗槽中进行兆声清洗,使兆声清洗效应发挥最大效用,实现兆声清洗最大限度去除球形缺陷;将经过兆声清洗的晶圆分别经过第一刷洗槽、第二刷洗槽清洗,进一步刷洗掉晶圆表面的球形颗粒、去除其稳定粘附性,最后再经过旋转湿润干燥槽清洗并吹干后得到最终晶圆。使用该清洗方法可以有效去除晶圆在化学机械平坦化后形成的球形缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 清洗 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤a.将经过化学平坦化的晶圆投入表面活化处理槽进行清洗,所述表面活化处理槽中含有烷基醇聚氧乙烯醚的第一氨水溶液;步骤b.将经过步骤a清洗的晶圆放置于含有烷基醇聚氧乙烯醚的第二氨水溶液的兆声清洗槽中,进行兆声清洗;步骤c.将经过步骤b清洗的晶圆放入第一刷洗槽,依次采用去离子水刷洗、SC1溶液清洗和去离子水刷洗;步骤d.将经过步骤c清洗的晶圆放入第二刷洗槽,依次采用DHF溶液清洗和去离子水进行刷洗;步骤e.将经过步骤d清洗的晶圆放置于旋转湿润干燥槽,依次进行氨水溶液清洗、去离子水清洗、以及晶圆干燥,处理得到最终晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造