[发明专利]原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器及方法

摘要

本发明公开了一种原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器及方法，其结构为：在半绝缘InP衬底上，依次为N⁺型InP层，组分渐变的N⁺型In_xAl_1‑xAs缓冲层，In_xGa_1‑xAs吸收层，P⁺型In_xAl_1‑xAs帽层，多层氧化铝和氮化硅复合膜，P电极，加厚电极。本发明的优点在于：原子层淀积生长的多层氧化铝薄膜具有优秀的台阶覆盖性，薄膜非常平滑且连续无针孔；原子层沉积具有自清洁作用，能去除表面侧面的自然氧化物，使得器件的表面侧面电流得到抑制；由于原子层沉积的自限制性，使得氧化铝生长速率缓慢，所以采用原子层沉积多层氧化铝和感应耦合等离子体沉积氮化硅结合的方式生长多层氧化铝和氮化硅复合膜作为钝化膜的结构，有利于改善台面型延伸波长铟镓砷探测器表面和侧面钝化。

主权项

1.一种原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器，其结构为：在半绝缘InP衬底(1)上，依次为N⁺型InP层(2)，组分渐变的N⁺型In_xAl_1‑xAs缓冲层(3)，In_xGa_1‑xAs吸收层(4)，P⁺型In_xAl_1‑xAs帽层(5)，多层氧化铝Al₂O₃(6)和氮化硅SiN_x(7)复合膜，P电极(8)，加厚电极(9)，其特征在于：所述的多层复合膜是指多层氧化铝Al₂O₃(6)和氮化硅SiN_x(7)复合膜，其中多层氧化铝Al₂O₃的层数为190～210层，氮化硅SiN_x的厚度为580nm～620nm。