[发明专利]一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法在审
申请号: | 201910030528.6 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN109706290A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 易明 | 申请(专利权)人: | 杭州曼德新材料有限公司 |
主分类号: | C21D1/04 | 分类号: | C21D1/04;C21D9/00;H01F41/02;H02K15/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 311199 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法,包括以下步骤:(1)将待处理的纳米晶磁芯放置在横磁炉中,并通入保护气体;(2)进行热处理及磁处理,包括:第一阶段:温度从室温升到约560℃,加热及保温约90min;第二阶段:将第一阶段热处理的纳米晶磁芯出炉冷却至室温;第三阶段:将第二阶段冷却的纳米晶磁芯放置在横磁炉中,温度从室温升到约420℃,加热及保温约60min,并在退火的同时进行加横磁处理,第四阶段:出炉,将纳米晶磁芯冷却至室温;(3)收取冷却后的纳米晶磁芯成品;采用上述方法得到的纳米晶磁芯,用于漏电保护器内既可以对交流漏电起保护作用,还能对直流脉动电流起保护作用。 | ||
搜索关键词: | 纳米晶磁芯 横磁 冷却 磁场热处理 热处理 炉中 加热 保温 直流脉动电流 退火 漏电保护器 保护气体 出炉冷却 漏电 磁处理 出炉 交流 | ||
【主权项】:
1.一种适用于A型漏保的纳米晶磁芯磁场热处理方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将待处理的纳米晶磁芯放置在横磁炉中,并通入保护气体;(2)进行热处理及磁处理,包括:第一阶段:温度从室温升到约560℃,加热及保温约90min;第二阶段:将第一阶段热处理的纳米晶磁芯出炉冷却至室温;第三阶段:将第二阶段冷却的纳米晶磁芯放置在横磁炉中,并通入保护气体,温度从室温升到约420℃,加热及保温约60min,并在退火的同时进行加横磁处理,第四阶段:出炉,将第三阶段工艺结束后的纳米晶磁芯冷却至室温;(3)收取冷却后的纳米晶磁芯成品。
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