[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910030836.9 申请日: 2019-01-14
公开(公告)号: CN111435672A 公开(公告)日: 2020-07-21
发明(设计)人: 李怡慧;曾奕铭;刘盈成;施易安;王裕平 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种磁阻式随机存取记忆体存储器结构及其制作方法,该磁阻式随机存取存储器结构包含一介电层,一接触洞设置于介电层中,一接触插塞填入接触洞并且凸出于介电层,其中接触插塞包含一下部元件和一上部元件,下部元件填入接触洞并且为矩形,上部元件位于接触洞之外,上部元件包含一顶边和一底边,顶边和底边互相平行,底边较顶边接近接触洞,底边大于顶边,以及一磁阻式随机存取存储器位于接触插塞上方并且接触接触插塞。
搜索关键词: 磁阻 随机存取存储器 结构 及其 制作方法
【主权项】:
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