[发明专利]具有光功率读取的发光器件有效
| 申请号： | 201910030846.2 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN110767787B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;高英;周瓴;陆内夫·亚历山大 | 申请（专利权）人： | 博尔博公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/24;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256 | 代理人： | 梁春艳 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有片上光功率读取的发光器件包括：形成在同一芯片的相同衬底上彼此相邻的发光台面和光检测台面，发光台面发出的一部分光至少通过衬底传送至光检测台面。发光台面和光检测台面具有相同的外延结构，并且可以通过绝缘层，或二者之间的空隙，或电子注入而彼此电隔离。发光台面和光检测台面在分别具有各自的p电极的同时而共享n型结构和公共n电极。 | ||
| 搜索关键词： | 有光 功率 读取 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有光功率读取的发光器件，其包括：/n衬底；/n形成在所述衬底之上的发光台面，其中，所述发光台面包括第一n-AlGaN结构、第一p型p-AlGaN结构、和夹设在所述第一n-AlGaN结构和第一p型p-AlGaN结构之间的第一有源区；以及/n形成在所述衬底之上的光检测台面，其中，所述光检测台面包括第二n-AlGaN结构、第二p型p-AlGaN结构、和夹设在所述第二n-AlGaN结构和第二p型p-AlGaN结构之间的第二有源区，/n其中，所述第一和第二n-AlGaN结构具有相同的外延结构，所述第一和第二p型p-AlGaN结构具有相同的外延结构，并且所述第一和第二有源区具有相同的外延结构，以及/n其中，所述发光台面和光检测台面至少部分地被绝缘区域隔开，从而使所述第一有源区和第一p型p-AlGaN与所述第二有源区和第二p型p-AlGaN隔离开。/n
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