[发明专利]一种新型氮化物发光二极管在审
| 申请号： | 201910032651.1 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109755364A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层、电子阻挡层和p型氮化物层；其中：所述p型氮化物层包括依次位于电子阻挡层上的空穴注入层、空穴扩散层和p型接触层，所述电子阻挡层为厚度1~10 nm的AlN。本发明的优点在于：采用带隙宽度大（6.2eV）且厚度薄（1~10 nm）的氮化铝电子阻挡层，可有效防止电子从有源层向p型氮化物层溢流，氮化铝电子阻挡层的厚度薄，可避免阻碍空穴从p型氮化物层向有源层迁移；同时在空穴注入层和p型接触层之间插入10~50 nm厚的p型AlxInyGa1‑x‑yN作为空穴扩散层，其带隙宽度大于p型接触层和空穴注入层的带隙宽度，可以提高p型氮化物层中空穴的侧向扩展能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 空穴 空穴注入层 带隙 源层 氮化物发光二极管 氮化铝 扩散层 衬底 非掺杂氮化物层 侧向扩展 缓冲层 中空穴 溢流 迁移 阻碍 | ||
【主权项】：
1.一种新型氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层、电子阻挡层和p型氮化物层，其特征在于：所述p型氮化物层包括依次位于电子阻挡层上的空穴注入层、空穴扩散层和p型接触层，所述电子阻挡层为厚度1~10 nm的AlN，所述空穴扩散层为厚度10~50 nm的p型AlxInyGa1‑x‑yN，其中0.05≤x≤0.5、0≤y≤0.03。
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