[发明专利]一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910033423.6 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109755363B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 云峰;苏喜林;李虞锋;张敏妍;郭茂峰;李琨;赵丁 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法，该有源器件包括外延基底和形成于外延基底上的多层半导体结构；多层半导体结构包括依次形成于外延基底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层直接或间接电连接的第一电极和第二电极。该制造方法包括步骤：制作外延结构；暴露出全部或部分第一半导体层，在暴露的第一半导体层上制作第一电极，在第二半导体层表面制作第二电极。本发明实现了半导体有源器件的宽光谱和多光谱辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光谱 半导体 有源 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种宽光谱半导体有源器件，其特征在于，包括外延基底(100)和形成于外延基底(100)上的多层半导体结构；其中，多层半导体结构包括依次形成于外延基底(100)上的第一半导体层(200)、有源层(301)、电子阻挡层(400)、第二半导体层(500)，以及分别与第一半导体层(200)和第二半导体层(500)直接或间接电连接的第一电极(600)和第二电极(700)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910033423.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高发光效率的氮化物发光二极管
- 下一篇：一种新型氮化物发光二极管
