[发明专利]一种发光二极管芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201910033847.2 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109755359A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管芯片的制造方法，包括如下步骤：在衬底上利用MOCVD技术完成发光二极管的外延结构的沉积；从MOCVD腔体中取出外延片，使用芯片刻蚀技术，在外延结构上定义芯片图形；在后续要制作芯片电极的位置上制作隔离层；将已定义芯片图形和已制作所述隔离层的外延片再次移入MOCVD腔体中，沉积保护层；从MOCVD腔体中取出外延片，去除所述隔离层，再制作后续芯片制程，完成发光二极管芯片的制造。本发明的优点在于：利用MOCVD在芯片的侧表面上二次外延生长保护层，能有效修复芯片侧表面上因为芯片刻蚀制程造成的晶格损伤和缺陷，减少芯片侧表面靠近发光层的晶格损伤和缺陷成为载流子的非辐射复合中心的数量，进而提升发光二极管的发光效率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 隔离层 外延片 芯片 腔体 发光二极管 芯片侧表面 定义芯片 晶格损伤 外延结构 制作 保护层 制程 沉积 载流子 取出 制造 非辐射复合中心 发光效率 刻蚀技术 外延生长 芯片电极 侧表面 发光层 衬底 刻蚀 去除 移入 修复 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征包括如下步骤：步骤S1、在衬底上利用MOCVD技术完成发光二极管的外延结构的沉积，所述外延结构从衬底向上依序为第一半导体层、发光层、第二半导体层，且所述第一半导体层和所述第二半导体层的极性相异；步骤S2、从MOCVD腔体中取出外延片，使用芯片刻蚀技术，在外延结构上定义芯片图形；步骤S3、在后续要制作芯片电极的位置上制作隔离层,且所述隔离层不覆盖在芯片靠近所述发光层的侧表面；步骤S4、将已定义芯片图形和已制作所述隔离层的外延片再次移入MOCVD腔体中，进行二次外延生长，沉积保护层，使所述保护层至少沉积在芯片靠近所述发光层的侧表面；步骤 S5、从MOCVD腔体中取出外延片，去除所述隔离层，再制作后续芯片制程，完成发光二极管芯片的制造。
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