[发明专利]具有贯穿通孔的薄膜电阻器在审
| 申请号： | 201910034769.8 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110047994A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | D·坎德;Q·Z·洪;A·阿里;G·B·希恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01C7/00;H01C17/00;H01C17/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及一种具有贯穿通孔的薄膜电阻器，其中公开了包括薄膜电阻器(TFR)结构的器件。TFR结构是通过一个或多个导电通孔可访问的，所述导电通孔从上金属层垂直延伸以完全穿透位于其下方的TFR层。导电通孔在穿透部位处或其附近耦合到TFR层的一个或多个侧壁。TFR结构可以通过包括以下步骤的方法制造：蚀刻完全穿过TFR层和TFR层上方的介电层的通孔沟槽，并且用耦合到TFR层的侧壁的导体填充通孔沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜电阻器 导电通孔 通孔 耦合到 侧壁 穿透 蚀刻 导体填充通孔 上金属层 介电层 可访问 贯穿 穿过 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在衬底上方形成薄膜电阻器层即TFR层；在所述TFR层上方形成介电层；蚀刻完全穿过所述介电层和所述TFR层的通孔；并且用耦合到所述TFR层的侧壁的导体填充所述通孔。
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