[发明专利]全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料有效
| 申请号： | 201910034941.X | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109861004B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张彬;凌芳;钟哲强;张源 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于全波段的强磁谐振单层超材料。该单层超材料由孔状结构基底和附着在基底孔处的良导体金属谐振结构构成。当电磁波垂直入射时，磁场分量直接激励超材料的磁谐振，从而在谐振频率附近获得很高的正磁导率和负磁导率。本发明具有在相同结构形式下，仅通过调节该超材料的结构参数，在微波、太赫兹波和光波段均可实现直接激发强磁响应。该超材料具有结构简单、加工方便、厚度薄和体积小等优势，可应用于负折射率超材料的设计等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 响应 宽频 磁导率 材料 | ||
【主权项】：
1.一种基于孔状结构的全波段强磁响应宽频带负磁导率超材料，其特征在于：所述负磁导率超材料的结构单元划分为孔状结构基底和附着于基底孔处的金属谐振结构；所述负磁导率超材料的周期、厚度、基底孔状结构和谐振结构的尺寸可灵活多变，进而在微波、太赫兹波以及光波段实现强磁响应。
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