[发明专利]三维存储器及其制作方法及半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其制作方法及半导体器件的制作方法，本发明技术方案通过在刻蚀孔的侧壁形成过渡层，将过渡层以及刻蚀孔的部分侧壁转换为第一介质层，过渡层的厚度由刻蚀孔的顶部至底部逐渐减小，可以使得靠近刻蚀孔底部的过渡层与其覆盖较厚的侧壁同时转换为第一介质层，靠近刻蚀孔顶部的过渡层与其覆盖的较薄的侧壁同时转换为第一介质层，从而形成满足厚度均匀条件的第一介质层，使得刻蚀孔的侧壁满足垂直条件，从而形成质量较好的垂直通孔。基于上述方案制作三维存储器，可以使得三维存储器具有满足垂直条件的沟道孔，且在沟道孔侧壁形成满足厚度均匀条件的栅氧化层，提高三维存储器中不同存储单元的电压分布均匀性。

主权项

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有堆叠结构；在所述堆叠结构上形成沟道孔，所述沟道孔露出所述半导体衬底，所述沟道孔的宽度由顶部至底部逐渐减小；在所述沟道孔的底部形成外延层；在所述沟道孔的侧壁以及所述外延层的表面形成过渡层，所述过渡层的厚度由所述沟道孔的顶部至底部逐渐减小；将所述过渡层以及所述沟道孔的部分侧壁转换为栅氧化层，所述栅氧化层满足厚度均匀条件，使得所述沟道孔的侧壁满足垂直条件；在所述沟道孔内形成沟道孔结构。