[发明专利]一种新型LED芯片封装制作方法有效
| 申请号： | 201910035939.4 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109817769B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 申凤仪;王秀瑜;申广 | 申请（专利权）人： | 申广 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62;H01L33/52;H01L25/075 |
| 代理公司： | 苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266 | 代理人： | 赵晓芳 |
| 地址： | 116023 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种新型LED芯片封装制作方法，将芯片再分布制作成阵列芯片、在阵列芯片电极面制作过渡隔离光刻胶层(或其他感光材料)，采用金属作为基板或在远离阵列芯片过渡隔离光刻胶层面上制作金属层作为基板，通过金属基板对应芯片电极区域光刻，蚀刻制作通孔，通过基板通孔曝光、显影阵列芯片上的过渡隔离光刻胶层(或其他感光材料)，然后采用锡膏、导电浆料或者溅射、蒸发镀膜、化学镀膜等焊接技术，对阵列分布的芯片进行电极焊接和封装，制作成带电路结构的封装器件，可以制作各类LED照明器件、模组、LED显示尤其是小间距显示屏、Mini LED、Micro LED显示面板或模组。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 led 芯片 封装 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型LED芯片封装制作方法，其特征在于，将LED芯片再分布制作成阵列芯片，形成金属基板、过渡隔离光刻胶层、阵列芯片三明治结构，对过渡隔离光刻胶层进行处理，形成阵列芯片的电极区同金属基板的焊接通道，通过焊接通道实现阵列芯片的电极与金属基板的I/O焊接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于申广，未经申广许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910035939.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
