[发明专利]一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻有效
| 申请号： | 201910036870.7 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109859916B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈吉堃;张秀兰;姜勇 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于热力学亚稳定状态的扭曲钙钛矿结构稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻，其电学特征在于，所述材料电阻率在一段设定的温度区间内明显高于其之外两端范围，从而呈现电阻率随温度的Delta变化。通过改变稀土镍基钙钛矿化合物钙钛矿结构中A原子位的稀土元素比例、材料应力状态、应力加载取向等手段，可以实现对Delta电阻温度范围、区间宽度、以及电阻值变化等参数的精准调节。该发明属于电子信息与电子器件领域，所述电阻率率随温度的Delta变化特性，在实现从而实现对特定温度区间范围的功能锁定、电路保护、涌浪电流抑制等电路智能化控制设计中具有可观的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 稀土 镍基钙钛矿 化合物 delta 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种基于稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻，其特征在于，所述Delta温区电阻材料包含：块体材料、薄膜、晶须材料、纳米线、纳米粉；其晶体结构包含单晶结构、多晶结构；制备该电阻的材料为具有热力学亚稳定状态与扭曲钙钛矿结构的稀土镍基钙钛矿(ABO3)氧化物；其化学组成为ReNiO3：Re位(A位)为稀土元素以及具有正三价的类稀土元素的单一元素或多元素组合；镍元素(Ni)占据钙钛矿结构中的B位。
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