[发明专利]高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法在审
| 申请号： | 201910037645.5 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111430246A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 梁甲;尤宁圻 | 申请（专利权）人： | 美龙翔微电子科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518038 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法。主要分两个步骤：第一步BOT面图形镍金电镀，第二步TOP面图形镍金电镀。BOT面图形镍金电镀时，需要通过导电孔与TOP面连接，在TOP面加上电流进行BOT面镍金电镀；TOP面镍金电镀时，需要通过导电孔与BOT面连接，在BOT面加上电流进行TOP面镍金电镀。本发明通过金厚的均匀性控制，TOP面图形镍金电镀层。金厚控制在1um+/‑0.02um。目的是在IC封装中，使金线与邦定面的镍金镀层更好的键合在一起，实现数据的稳定、快速和有效传输；另一方面，为达到欧盟环保要求提出的ROHS标准，IC封装后采用无铅焊锡贴片装到主板上。本专利制造方法对BOT面金厚的控制在0.15um到0.2um之间，对贴片的稳定性和可靠性具有重大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 毫米波 ic 封装 双面 图形 镍金电 镀层 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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