[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910037891.0 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110047814A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 洪智硕;李基硕;朴济民;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底上的层间绝缘层、在层间绝缘层中的通路塞和通路塞上的布线线路，其中通路塞和布线线路彼此耦接并形成阶梯结构。半导体器件包括在层间绝缘层和通路塞之间的第一气隙区、以及在层间绝缘层和布线线路之间的第二气隙区。第一气隙区和第二气隙区彼此不竖直重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 层间绝缘层 气隙区 半导体器件 布线线路 通路塞 阶梯结构 衬底 竖直 耦接 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的层间绝缘层；在所述层间绝缘层中的通路塞，所述通路塞具有相对的第一通路侧壁和第二通路侧壁；在所述层间绝缘层中的第一布线线路，所述第一布线线路与所述通路塞耦接，并且具有与所述第一通路侧壁相邻的第一布线侧壁、以及与所述第一布线侧壁相对且与所述第二通路侧壁相邻的第二布线侧壁；第一通路绝缘衬层，覆盖所述第一通路侧壁；第一布线绝缘衬层，覆盖所述第一布线侧壁；在所述第一通路绝缘衬层与所述层间绝缘层之间的第一通路气隙区，所述第一通路气隙区将所述第一通路绝缘衬层暴露于所述层间绝缘层；以及在所述第一布线绝缘衬层与所述层间绝缘层之间的第一布线气隙区，所述第一布线气隙区将所述第一布线绝缘衬层暴露于所述层间绝缘层；其中，所述第一通路侧壁和所述第二布线侧壁彼此未对准。
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