[发明专利]抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法

摘要

本发明公开了一种抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法。所述方法包括：氧化圆晶片的有源区的第一区域形成二氧化硅掩蔽层，对二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过硼离子注入形成P+型P阱；氧化晶圆片表面形成二氧化硅层，对二氧化硅层选择性蚀刻后，通过磷离子注入形成N型JFET；在圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过硼离子注入形成P型P阱；在圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过砷和磷离子注入形成N型Source；清洗圆晶片表面，并对清洗后的圆晶片表面进行热氧化生成二氧化硅作为栅介质层；栅介质层制备过程后置到了有源区、JFET、P阱、Source制备完成后，提高了MOSFET的抗辐射能力。

主权项

1.一种抗辐射功率MOSFET的工艺制备方法，其特征在于，所述方法包括：氧化具有硅基外延材料的圆晶片的有源区的第一区域形成二氧化硅掩蔽层，对所述二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过硼离子注入形成P+型P阱；氧化所述圆晶片的有源区的第二区域的表面形成二氧化硅掩蔽层，对所述二氧化硅掩蔽层选择性蚀刻后通过磷离子注入形成N型JFET区；在所述圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过硼离子注入形成P型P阱；在所述圆晶片表面涂覆光刻胶并进行选择性曝光产生图形窗口，通过砷和磷离子注入形成N型Source；清洗所述圆晶片表面，并对清洗后的所述圆晶片表面进行热氧化生成二氧化硅作为栅介质层；对所述圆晶片进行多晶硅淀积，对所述多晶硅进行磷离子注入，经过对所述多晶硅的光刻和蚀刻后形成多晶硅栅；介质淀积和电极层制备，生成层间介质层和电极引出层。