[发明专利]一种匹配HF/HNO3

摘要

本发明涉及一种磷扩散方法，特别涉及一种匹配HF/HNO3体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域。该方法包括以下步骤：（1）进管；（2）升温至第一温度；（3）氧化；（4）沉积磷源；（5）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度；（6）推结，（7）第二次沉积磷源：推结后进行第二次磷源沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；（8）降温出管。本发明高质量磷扩散方法在降低刻蚀减重的情况下，保证刻蚀区域方阻适中，表面磷掺杂浓度较低。同时，刻蚀区和非刻蚀区台阶降低，有利于后续氮化硅薄膜的钝化。

主权项

1.一种匹配HF/HNO₃体系选择性刻蚀的高质量磷扩散方法，其特征在于该方法包括以下步骤：（1）进管：将待扩散硅片放入扩散炉管内，（2）升温至第一温度：在氮气气氛条件下，使扩散炉管温度达到设定温度750‑850℃；（3）氧化：往所述扩散炉管内通入氧气，进行氧化，氧化时间为2min‑10min；（4）沉积磷源：氧化后进行第一次沉积磷源，通过控制工艺时间、N‑POCl₃流量和O₂流量来控制沉积磷源的总量，在所述硅片表面形成第一磷扩散；（5）升温至第二温度，所述第二温度高于所述第一温度：在氮气气氛条件下，使扩散炉管温度达到设定温度870‑930℃；（6）推结：维持步骤（5）的温度，推结30‑60min，（7）第二次沉积磷源：推结后进行第二次磷源沉积，在所述硅片表面形成第二磷扩散；（8）降温出管：退火降温，待扩散炉管温度降温至800±50℃时，将所述硅片从所述扩散炉管内取出，得到磷扩散硅片。