[发明专利]感光元件、X射线探测器及显示装置有效
申请号: | 201910038703.6 | 申请日: | 2019-01-11 |
公开(公告)号: | CN109860330B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L27/144;H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供了一种感光元件,所述感光元件包括:本征层;第一掺杂层,所述第一掺杂层设于所述本征层的入光侧;第二掺杂层,所述第二掺杂层设于所述本征层的出光侧;所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均掺杂有掺杂物,且在所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均注入硅离子;本申请还提出一种X射线探测器及显示装置。本申请的技术方案中感光元件通过注入硅离子,可以提高光线的接触面积,从而提高感光元件对光线的灵敏度,使得感光元件的光电转换性能更好,且感光元件的光电转换效率更高。 | ||
搜索关键词: | 感光 元件 射线 探测器 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种感光元件,其特征在于,所述感光元件包括:本征层;第一掺杂层,所述第一掺杂层设于所述本征层的入光侧;第二掺杂层,所述第二掺杂层设于所述本征层的出光侧;所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均掺杂有掺杂物,且在所述本征层、所述第一掺杂层以及所述第二掺杂层中均注入硅离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的