[发明专利]一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器

摘要

本发明公开了一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15％。吸收区的结构为：7ML InAs_0.95Bi_0.05/10ML GaSb_0.95Bi_0.05。本发明通过在传统的InAs/GaSb二类超晶格光探测器的InAs层和GaSb层中凝入Bi元素，形成InAsBi层和GaSbBi层，从而在不改变探测器截止波长及探测器性能的前提下，能够有效降低二类超晶格光探测器材料的周期厚度以及材料总厚度，减少材料使用成本及分子束外延生长成本。同时还能提高材料的整体吸收系数，减少整个器件体积。

主权项

1.一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器，其特征在于，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层。