[发明专利]一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器在审
| 申请号： | 201910039014.7 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109768099A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 詹健龙;宋禹析 | 申请（专利权）人： | 浙江焜腾红外科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 丁鹏 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。本发明通过在分子束外延生长GaSb层时凝入一定量的Bi元素，能够有效减少吸收区中的空位或者反位存在，降低探测器的缺陷密度，使得SRH复合减少，器件暗电流下降，载流子的扩散速度增加，器件的量子效率增加，提高InAs/GaSb T2SL光探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 光探测器 超晶格 吸收区 低点 载流子 分子束外延 量子效率 速度增加 有效减少 空位 暗电流 探测器 复合 扩散 生长 | ||
【主权项】：
1.一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，其特征在于，所述二类超晶格光探测器为InAs/GaSb二类超晶格光探测器，所述InAs/GaSb二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAs层和GaSb层，GaSb层中凝入有Bi元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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