[发明专利]一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910039020.2 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109504950A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 丁玉强;杜立永;黄伟 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 于婷婷 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法，包括以下步骤：(1)将半导体衬底置于反应腔中，以脉冲形式向反应腔中通入气相Fe源进行沉积，得到沉积有Fe源的衬底；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，以和沉积在衬底上的Fe源进行单原子反应；(4)向体系中充入惰性气体吹扫后，即可在半导体衬底上得到FexN薄膜。本发明使用ALD生长的FexN薄膜保型性良好，对薄膜厚度、材料成分、原子活性位点分布可控制精确，且对多种衬底如硅、氧化硅、氮化硅、TaN、C3N4、石墨烯等均表现出兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜 反应腔 沉积 原子层沉积 惰性气体 脉冲形式 吹扫 半导体 薄膜保型性 活性位点 单原子 氮化硅 兼容性 可控制 石墨烯 氧化硅 氮源 生长 表现 | ||
【主权项】：
1.一种原子层沉积法制备FexN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将半导体衬底置于反应腔中，以脉冲形式向反应腔中通入气相Fe源进行沉积，得到沉积有Fe源的衬底；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将氮源以脉冲形式通入反应腔，以和沉积在衬底上的Fe源进行单原子反应；(4)向体系中充入惰性气体吹扫后，即可在半导体衬底上得到FexN薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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