[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910039792.6 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110098166A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 土屋秀昭 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开总体涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在半导体衬底之上的焊盘电极，形成在焊盘电极上的导体柱，形成在导体柱上且由镍膜制成的盖帽膜，形成在布线板中的端子，形成在端子上并由包含磷的镍膜制成的金属膜，插入在盖帽膜和金属膜之间且包含锡作为主要成分的焊料层，以及插入在焊料层和金属膜之间且包含锡和铜的合金层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属膜 焊盘电极 导体柱 焊料层 盖帽 镍膜 布线板 合金层 衬底 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：焊盘电极，在半导体衬底之上形成；导体柱，在所述焊盘电极上形成；盖帽膜，在所述导体柱上形成并且由镍膜制成；端子，在布线板中形成；第一金属膜，在所述端子上形成并且由包含磷的镍膜制成；焊料层，被插入在所述盖帽膜和所述第一金属膜之间并且包含锡作为主要成分；以及第一合金层，被插入在所述焊料层和所述第一金属膜之间并且包含锡和铜。
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