[发明专利]一种超高温SiC-HfB2 有效
| 申请号： | 201910040588.6 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109665848B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;张岩;江泽斌;吴利翔;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种超高温SiC‑HfB |
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| 搜索关键词： | 一种 超高温 sic hfb base sub | ||
【主权项】：
1.一种超高温SiC‑HfB2复合陶瓷，其特征在于，所述超高温SiC‑HfB2复合陶瓷是将SiC粉末、HfO2粉末、Ta2O5粉末和无定型硼粉加入溶剂和球磨介质进行混合，干燥后得到混合粉体，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在真空条件下进行热处理，先升温至900～1300℃保温Ⅰ，再升温至1500～1800℃保温Ⅱ，进行真空热处理得SiC‑HfB2粉末，采用放电等离子烧结将SiC‑HfB2粉末升温至1000～1400℃时充入保护气氛，然后升温至1800～2200℃煅烧制得超高温SiC‑HfB2复合陶瓷。
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