[发明专利]像素结构有效
| 申请号： | 201910040724.1 | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109742127B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 徐理智;柯聪盈;许雅婷;薛芷苓;王万仓;陈勇志;胡克龙;刘俊欣 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素结构，包括第一元件基板、相邻的第一发光元件及第二发光元件、第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。第一发光元件及第二发光元件配置于第一元件基板上且与第一元件基板电性连接，其中第一发光元件包括第一发光层，且第二发光元件包括第二发光层。第一无机封装层覆盖第一发光元件及第二发光元件。有机封装层配置于第一无机封装层上，其中有机封装层具有第一开口，第一开口位于第一发光元件的第一发光层与第二发光元件的第二发光层之间。第二无机封装层配置于有机封装层上。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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