[发明专利]基于二维异质结光波长诱导的光电存储器及其制备方法

摘要

本发明属于光电存储器技术领域，具体为一种基于二维异质结光波长诱导的非易失光电存储器及其制备方法。本发明利用二维材料中的缺陷能级对不同波长的光产生不同的光学响应，在电场的驱动下实现不同的电荷存储状态，通过沟道二维材料双极性的变化以及光吸收层中电荷数目的阶梯性改变，实现器件的非易失性多值存储。本发明制备方法包括，在衬底上利用机械剥离或者化学气相沉积获得作为光吸收层的二维材料，然后利用干法转移技术将具有双极性的二维材料堆叠至光吸收层之上，作为器件的沟道。本发明制备的具有多值存储能力的新型非易失光电存储器，在未来的数据光电存储领域具有广阔的应用前景。

主权项

1.一种基于二维材料异质结的不同光波长诱导的非易失光电存储器的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在衬底上制备第一层二维材料薄膜，作为光吸收层；所述衬底为带有氧化绝缘层的高掺杂硅衬底；（2）在第一层二维材料上转移第二层二维双极性材料，作为器件的沟道层；（3）在生长了第二层二维双极性材料的样品上形成一定图形的金属电极。