[发明专利]一种分析硅同位素组成的方法及装置在审
| 申请号： | 201910044614.2 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109596701A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高建飞;丁悌平;范昌福;胡斌 | 申请（专利权）人： | 中国地质科学院矿产资源研究所 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N1/34;G01N1/44 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 代芳 |
| 地址： | 100000 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及稳定同位素分析技术领域，具体涉及一种分析硅同位素组成的方法及装置。本发明在红外激光加热条件下，将含硅样品和氟化剂进行氟化反应，能够实现微量含硅样品制备SiF4气体来分析所述含硅样品中的硅同位素组成，且能够有效缩短氟化反应时间，提高分析效率。实施例的结果表明，在样品量大大减少的情况下(仅为传统方法中样品量的1/10左右)，本发明提供的方法与传统方法的精度相当，能够实现微量含硅样品中硅同位素组成的准确分析。 | ||
| 搜索关键词： | 硅同位素 硅样品 氟化反应 分析 样品量 稳定同位素 分析效率 红外激光 加热条件 氟化剂 制备 | ||
【主权项】：
1.一种分析硅同位素组成的方法，包括以下步骤：在红外激光加热条件下，将含硅样品和氟化剂进行氟化反应，得到含SiF4混合气体；将所述含SiF4混合气体进行纯化，得到纯化SiF4；将所述纯化SiF4进行硅同位素质谱分析，得到含硅样品中硅同位素组成。
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