[发明专利]铁电半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910044917.4 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN110473920A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 刘香根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 许伟群;郭放<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电半导体器件及其制造方法。本公开的铁电半导体器件包括：衬底，其具有沟道结构；在所述沟道结构中的沟槽图案，其具有底表面和侧壁面；电介质层，其设置在沟槽图案的底表面和侧壁面上；以及栅电极层，其设置在电介质层上。电介质层包括沿着沟槽图案的侧壁面设置的非铁电层图案和铁电层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 沟槽图案 铁电半导体 沟道结构 侧壁面 图案 栅电极层 铁电层 侧壁 衬底 电层 非铁 制造 | ||
【主权项】：
1.一种铁电半导体器件，包括：/n衬底，其具有沟道结构；/n在所述沟道结构中的沟槽图案，其具有底表面和侧壁面；/n电介质层，其设置在所述沟槽图案的所述底表面和所述侧壁面上；以及/n栅电极层，其设置在所述电介质层上，/n其中，所述电介质层包括沿着所述沟槽图案的所述侧壁面设置的非铁电层图案和铁电层图案。/n
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